Recommonended For You
17% off
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة

HXY MOSFET HC3M00160120D


المصنّع
رقم قطعة المصنّع
HC3M00160120D
رقم قطعة EBEE
E822449549
الحزمة
TO-247
رقم العميل
ورقة البيانات
نماذج EDA
ECCN
-
الوصف
TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>
4 في المخزن للشحن السريع
4 متوفر للشحن الفوري
يمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
الكمية.سعر الوحدةالسعر الإجمالي
1+$4.9658$ 4.9658
10+$4.2666$ 42.6660
30+$3.8412$ 115.2360
90+$3.4831$ 313.4790
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
النوعالوصف
تحديد الكل
الفئةSilicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET)
ورقة البياناتHXY MOSFET HC3M00160120D
RoHS
TypeN-Channel
RDS(on)160mΩ@20V
Operating Temperature --55℃~+175℃
Drain to Source Voltage1.2kV
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))2V
Current - Continuous Drain(Id)17A

دليل التسوق

توسيع