35% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET HC3M0015065D
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC3M0015065D |
| رقم قطعة EBEE | E819723863 |
| الحزمة | TO-247 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>139 في المخزن للشحن السريع
139 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0383 | $ 11.0383 |
| 10+ | $10.5120 | $ 105.1200 |
| 30+ | $9.5997 | $ 287.9910 |
| 90+ | $8.8040 | $ 792.3600 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC3M0015065D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 21mΩ | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 31pF | |
| Pd - Power Dissipation | 416W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 120A | |
| Ciss-Input Capacitance | 501pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 289pF | |
| Gate Charge(Qg) | 188nC |
دليل التسوق
توسيع
139 Stock for Shipping Fast
139 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $11.0383 | $ 11.0383 |
| 10+ | $10.5120 | $ 105.1200 |
| 30+ | $9.5997 | $ 287.9910 |
| 90+ | $8.8040 | $ 792.3600 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
