25% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET HC2M1000170D
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC2M1000170D |
| رقم قطعة EBEE | E819723852 |
| الحزمة | TO-247-3L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247-3L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>107 في المخزن للشحن السريع
107 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3876 | $ 2.3876 |
| 10+ | $2.0399 | $ 20.3990 |
| 30+ | $1.7874 | $ 53.6220 |
| 90+ | $1.5647 | $ 140.8230 |
| 510+ | $1.4635 | $ 746.3850 |
| 990+ | $1.4195 | $ 1405.3050 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC2M1000170D | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 1.4Ω | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 2.2pF | |
| Pd - Power Dissipation | 69W | |
| Drain to Source Voltage | 1.7kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 215pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 19pF | |
| Gate Charge(Qg) | 22nC |
دليل التسوق
توسيع
107 Stock for Shipping Fast
107 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3876 | $ 2.3876 |
| 10+ | $2.0399 | $ 20.3990 |
| 30+ | $1.7874 | $ 53.6220 |
| 90+ | $1.5647 | $ 140.8230 |
| 510+ | $1.4635 | $ 746.3850 |
| 990+ | $1.4195 | $ 1405.3050 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
