7% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET HC1M40120J
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC1M40120J |
| رقم قطعة EBEE | E841428801 |
| الحزمة | TO-263-7L |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-263-7L Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>59 في المخزن للشحن السريع
59 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.6219 | $ 10.6219 |
| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
| 100+ | $8.4909 | $ 849.0900 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC1M40120J | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 326W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 65A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
دليل التسوق
توسيع
59 Stock for Shipping Fast
59 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $10.6219 | $ 10.6219 |
| 10+ | $10.1196 | $ 101.1960 |
| 50+ | $9.2510 | $ 462.5500 |
| 100+ | $8.4909 | $ 849.0900 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
