17% off
Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
HXY MOSFET HC1M40120D
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | HC1M40120D |
| رقم قطعة EBEE | E841428809 |
| الحزمة | TO-247 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-247 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>10 في المخزن للشحن السريع
10 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $13.0234 | $ 13.0234 |
| 10+ | $12.4241 | $ 124.2410 |
| 30+ | $11.3882 | $ 341.6460 |
| 90+ | $10.4842 | $ 943.5780 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | Silicon Carbide (SiC) Devices ,Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | HXY MOSFET HC1M40120D | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| Configuration | - | |
| RDS(on) | 40mΩ@18V | |
| Operating Temperature - | -40℃~+175℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 14pF | |
| Pd - Power Dissipation | 357W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 68A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.766nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 112nC |
دليل التسوق
توسيع
10 Stock for Shipping Fast
10 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $13.0234 | $ 13.0234 |
| 10+ | $12.4241 | $ 124.2410 |
| 30+ | $11.3882 | $ 341.6460 |
| 90+ | $10.4842 | $ 943.5780 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
