| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | G2R120MT33J |
| رقم قطعة EBEE | E83291148 |
| الحزمة | TO-263-7 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| الوصف | TO-263-7 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $140.0672 | $ 140.0672 |
| 200+ | $54.2050 | $ 10841.0000 |
| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | GeneSiC Semiconductor G2R120MT33J | |
| RoHS | ||
| تيار التصريف المستمر | 35A | |
| نوع القناة | 1 N-Channel | |
| تصريف مصدر الجهد | 3300V |
يرجى إرسال طلب عرض سعر، وسنرد فورًا.
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $140.0672 | $ 140.0672 |
| 200+ | $54.2050 | $ 10841.0000 |
| 500+ | $52.2992 | $ 26149.6000 |
| 1000+ | $51.3588 | $ 51358.8000 |
