Recommonended For You
الصور لأغراض مرجعية فقط
إضافة إلى المفضلة
ANHI ADP120N080G2
| المصنّع | |
| رقم قطعة المصنّع | ADP120N080G2 |
| رقم قطعة EBEE | E822470090 |
| الحزمة | TO-220 |
| رقم العميل | |
| ورقة البيانات | |
| نماذج EDA | |
| ECCN | - |
| الوصف | TO-220 Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS |
هذه المواد تدعم الكابلات المخصصة!
معرفة المزيد >>43 في المخزن للشحن السريع
43 متوفر للشحن الفورييمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5581 | $ 3.5581 |
| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
| 1000+ | $2.2863 | $ 2286.3000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
موصى به لك
المواصفات
2768تم العثور على منتجات.عرض المشابه| النوع | الوصف | تحديد الكل |
|---|---|---|
| الفئة | كربيد السيليكون (SiC) الأجهزة ,كربيد السيليكون تأثير الحقل الترانس (MOSFET) | |
| ورقة البيانات | ANHI ADP120N080G2 | |
| RoHS | ||
| النوع | N-Channel | |
| RDS(على) | 100mΩ | |
| درجة حرارة التشغيل - | -55℃~+175℃ | |
| سعة التحويل العكسي (Crss@Vds) | 4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 188W | |
| Drain to Source Voltage | 1.2kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 35A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.377nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 62pF | |
| Gate Charge(Qg) | 58nC |
دليل التسوق
توسيع
43 Stock for Shipping Fast
43 available for immediate shippingيمكن الشحن خلال 1-2 يوم عمل
وحدة البيع: Pieceالحقيبة الكاملة: 200
| الكمية. | سعر الوحدة | السعر الإجمالي |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5581 | $ 3.5581 |
| 10+ | $3.0691 | $ 30.6910 |
| 50+ | $2.7785 | $ 138.9250 |
| 100+ | $2.4832 | $ 248.3200 |
| 500+ | $2.3482 | $ 1174.1000 |
| 1000+ | $2.2863 | $ 2286.3000 |
أفضل سعر لكميات أكبر؟
$
