Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
Tokmas CID18N65D
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | CID18N65D |
| EBEE Parça No. | E822446733 |
| Paket | DFN-8(8x8) |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>723 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
723 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2596 | $ 1.2596 |
| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
| 500+ | $0.7255 | $ 362.7500 |
| 1000+ | $0.6975 | $ 697.5000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Veri Sayfası | Tokmas CID18N65D | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| RDS(on) | 100mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
723 Stock for Shipping Fast
723 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $1.2596 | $ 1.2596 |
| 10+ | $1.0354 | $ 10.3540 |
| 30+ | $0.9124 | $ 27.3720 |
| 100+ | $0.7878 | $ 78.7800 |
| 500+ | $0.7255 | $ 362.7500 |
| 1000+ | $0.6975 | $ 697.5000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
