12% off
Recommonended For You
Görüntüler sadece referans amaçlıdır
Favorilere Ekle
HXY MOSFET HCG65140DAA
| Üretici | |
| Üretici Parça No. | HCG65140DAA |
| EBEE Parça No. | E822396444 |
| Paket | DFN-8(8x8) |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
Bu malzeme özelleştirilmiş kabloları destekler!
Daha fazla bilgi >>218 Stokta Var – Hemen Kargoya Verilebilir
218 hemen kargoya verilebilir1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7944 | $ 2.7944 |
| 10+ | $2.4046 | $ 24.0460 |
| 30+ | $2.1726 | $ 65.1780 |
| 100+ | $1.9393 | $ 193.9300 |
| 500+ | $1.8303 | $ 915.1500 |
| 1000+ | $1.7815 | $ 1781.5000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
Sizin İçin Önerilenler
Teknik Özellikler
2768ürün bulundu.Benzerleri Göster| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Gallium Nitride (GaN) Devices ,GaN Transistors(GaN HEMT) | |
| Veri Sayfası | HXY MOSFET HCG65140DAA | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 100mΩ | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 0.5pF | |
| Pd - Power Dissipation | 113W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.7V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 125pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 40pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.3nC |
Alışveriş Rehberi
Genişlet
218 Stock for Shipping Fast
218 available for immediate shipping1-2 İş Günü İçinde Kargoya Verilebilir
Satış Birimi: PieceTam Ambalaj: 200
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7944 | $ 2.7944 |
| 10+ | $2.4046 | $ 24.0460 |
| 30+ | $2.1726 | $ 65.1780 |
| 100+ | $1.9393 | $ 193.9300 |
| 500+ | $1.8303 | $ 915.1500 |
| 1000+ | $1.7815 | $ 1781.5000 |
Daha fazla adet için en iyi fiyat mı arıyorsunuz?
$
