| Üretici | |
| Üretici Parça No. | CID10N65D |
| EBEE Parça No. | E822446730 |
| Paket | DFN-8(8x8) |
| Müşteri No. | |
| Veri Sayfası | |
| EDA Modelleri | |
| ECCN | - |
| Açıklama | DFN-8(8x8) GaN Transistors(GaN HEMT) ROHS |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8532 | $ 0.8532 |
| 10+ | $0.7658 | $ 7.6580 |
| 30+ | $0.7166 | $ 21.4980 |
| 100+ | $0.6626 | $ 66.2600 |
| 500+ | $0.6387 | $ 319.3500 |
| 1000+ | $0.6276 | $ 627.6000 |
| Tür | Açıklama | Tümünü Seç |
|---|---|---|
| Kategori | Gallium Nitrilde (GaN) Cihazları ,GaN Transistors (GaN HEMT) | |
| Veri Sayfası | Tokmas CID10N65D | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 160mΩ | |
| Çalışma sıcaklığı - | -55℃~+150℃ | |
| Ters Transfer Kapasitesi (Crss@Vds) | 0.4pF | |
| Pd - Power Dissipation | 75W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.6V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 10A | |
| Ciss-Input Capacitance | 83pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 27pF | |
| Gate Charge(Qg) | 2.3nC |
| Adet | Birim Fiyat | Toplam Fiyat |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8532 | $ 0.8532 |
| 10+ | $0.7658 | $ 7.6580 |
| 30+ | $0.7166 | $ 21.4980 |
| 100+ | $0.6626 | $ 66.2600 |
| 500+ | $0.6387 | $ 319.3500 |
| 1000+ | $0.6276 | $ 627.6000 |
