| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | APT100GT120JRDQ4 |
| Código da Peça EBEE | E817198710 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 570W 123A 1.2kV NPT (non-penetrating type) IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo de tipo | NPT (non-penetrating type) | |
| Corrente do Colecionador (Ic) | 123A | |
| Dissipação de potência (Pd) | 570W | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 1.2kV | |
| Capacitância de entrada (Cies-Vce) | 7.85nF@25V | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 3.7V@15V,100A |
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| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $174.5396 | $ 174.5396 |
| 200+ | $69.6441 | $ 13928.8200 |
| 500+ | $67.3158 | $ 33657.9000 |
| 1000+ | $66.1656 | $ 66165.6000 |
