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Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | F3L25R12W1T4B27 |
| Código da Peça EBEE | E83190223 |
| Pacote | - |
| Número do Cliente | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | 215W 45A 1.2kV IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 1.2kV | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | 2.25V@15V,25A | |
| Current - Collector(Ic) | 45A | |
| Pd - Power Dissipation | 215W | |
| IGBT Type | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF@25V |
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