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Infineon Technologies FP25R12W2T4
| Fabricante | |
| Código da Peça do Fabricante | FP25R12W2T4 |
| Código da Peça EBEE | E8534015 |
| Pacote | Through Hole,62.8x56.7mm |
| Número do Cliente | |
| Folha de Dados | |
| Modelos EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrição | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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35 disponível para envio imediatoPode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
| Qtd. | Preço Unitário | Preço Ext. |
|---|---|---|
| 1+ | $39.0250 | $ 39.0250 |
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Especificações
2768produtos encontrados.Mostrar Similares| Tipo | Descrição | Selecionar Tudo |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Folha de Dados | Infineon FP25R12W2T4 | |
| RoHS | ||
| Temperatura de funcionamento | -40℃~+150℃ | |
| Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces) | 1.2kV | |
| Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 39A | |
| Pd - Power Dissipation | 175W | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@25A,15V | |
| Td(off) | 190ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.05nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.45mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.6mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 50A |
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