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Infineon Technologies FP10R12W1T4


Fabricante
Código da Peça do Fabricante
FP10R12W1T4
Código da Peça EBEE
E8541162
Pacote
Through Hole,62.8x33.8mm
Número do Cliente
Folha de Dados
Modelos EDA
ECCN
EAR99
Descrição
IGBT Transistors / Modules ROHS
Estes materiais suportam cabos personalizados!
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16 Em Estoque para Envio Rápido
16 disponível para envio imediato
Pode ser enviado em 1-2 Dias Úteis
Unidade de Venda: PieceSaco Cheio: 200
Qtd.Preço UnitárioPreço Ext.
1+$20.1592$ 20.1592
24+$19.4817$ 467.5608
Melhor preço para maior quantidade?
$
TipoDescrição
Selecionar Tudo
CategoriaDiscrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules
Folha de DadosInfineon FP10R12W1T4
RoHS
Temperatura de funcionamento-40℃~+150℃
Tensão de Repartição do Emitor Colecionador (Vces)1.2kV
Voltagem de limiar de emissor de porta-emissor (Vge(th) ?Ic)[email protected]
Current - Collector(Ic)20A
Pd - Power Dissipation105W
Vce Saturation(VCE(sat))2.25V@10A,15V
Td(off)180ns
Td(on)45ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)0.024nF
Switching Energy(Eoff)550uJ
Turn-On Energy (Eon)900uJ
Input Capacitance(Cies)600pF
Pulsed Current- Forward(Ifm)300A

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