| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STS8DN6LF6AG |
| EBEE部品番号 | E8155609 |
| パッケージ | SOIC-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 60V 8A 24mΩ@10V,4A 3.2W 2.5V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| データシート | ST STS8DN6LF6AG | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 60V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 8A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 24mΩ@10V,4A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 3.2W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 2.5V@250uA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 1.34nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 27nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1.1201 | $ 1.1201 |
| 10+ | $0.9320 | $ 9.3200 |
| 30+ | $0.8396 | $ 25.1880 |
| 100+ | $0.7455 | $ 74.5500 |
| 500+ | $0.6906 | $ 345.3000 |
| 1000+ | $0.6603 | $ 660.3000 |
