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Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ZXMN10A08DN8TA |
| EBEE部品番号 | E8461135 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 100V 2.1A 0.25Ω@10V,3.2A 1.25W 2V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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382 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3714 | $ 0.3714 |
| 10+ | $0.3376 | $ 3.3760 |
| 30+ | $0.3192 | $ 9.5760 |
| 100+ | $0.2979 | $ 29.7900 |
| 500+ | $0.2891 | $ 144.5500 |
| 1000+ | $0.2847 | $ 284.7000 |
| 2000+ | $0.2817 | $ 563.4000 |
| 4000+ | $0.2795 | $ 1118.0000 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| データシート | DIODES ZXMN10A08DN8TA | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | N-Channel | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 14.2pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.8W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.1A | |
| Output Capacitance(Coss) | 28.2pF |
ショッピングガイド
展開
382 Stock for Shipping Fast
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3714 | $ 0.3714 |
| 10+ | $0.3376 | $ 3.3760 |
| 30+ | $0.3192 | $ 9.5760 |
| 100+ | $0.2979 | $ 29.7900 |
| 500+ | $0.2891 | $ 144.5500 |
| 1000+ | $0.2847 | $ 284.7000 |
| 2000+ | $0.2817 | $ 563.4000 |
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