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| メーカー | |
| メーカー部品番号 | ZXMN3G32DN8TA |
| EBEE部品番号 | E8151582 |
| パッケージ | SO-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 7.1A 0.028Ω@10V,7.1A 1.25W 1V@250uA 2 N-Channel SO-8 MOSFETs ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4457 | $ 0.4457 |
| 10+ | $0.3631 | $ 3.6310 |
| 30+ | $0.3222 | $ 9.6660 |
| 100+ | $0.2813 | $ 28.1300 |
| 500+ | $0.2567 | $ 128.3500 |
| 1000+ | $0.2441 | $ 244.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| データシート | DIODES ZXMN3G32DN8TA | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | N-Channel | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 65pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.1W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7.1A | |
| Output Capacitance(Coss) | 178pF |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4457 | $ 0.4457 |
| 10+ | $0.3631 | $ 3.6310 |
| 30+ | $0.3222 | $ 9.6660 |
| 100+ | $0.2813 | $ 28.1300 |
| 500+ | $0.2567 | $ 128.3500 |
| 1000+ | $0.2441 | $ 244.1000 |
