| メーカー | |
| メーカー部品番号 | STS8DN3LLH5 |
| EBEE部品番号 | E82970954 |
| パッケージ | SOIC-8 |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 30V 10A 0.019Ω@10V,5A 2.7W 1V@250uA 2 N-Channel SOIC-8 MOSFETs ROHS |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| データシート | ST STS8DN3LLH5 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 排水源電圧(Vdss) | 30V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 10A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 0.019Ω@10V,5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 2.7W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 21pF@25V | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 724pF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 5.4nC@15V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5182 | $ 0.5182 |
| 10+ | $0.5093 | $ 5.0930 |
| 30+ | $0.5022 | $ 15.0660 |
| 100+ | $0.4951 | $ 49.5100 |
