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STMicroelectronics SH32N65DM6AG
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | SH32N65DM6AG |
| EBEE部品番号 | E85268689 |
| パッケージ | - |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 650V 32A 208W 89mΩ@10V,23A 3.25V@250uA MOSFETs ROHS |
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
おすすめ
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| データシート | ST SH32N65DM6AG | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 設定 | Half Bridge | |
| 排水源電圧(Vdss) | 650V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 32A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 89mΩ@10V,23A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 208W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 3.25V@250uA | |
| 逆移動容量(Crss@Vds) | 0.3pF | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 2211pF | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 47nC@10V |
ショッピングガイド
展開
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $52.5171 | $ 52.5171 |
| 200+ | $20.3235 | $ 4064.7000 |
| 500+ | $19.6097 | $ 9804.8500 |
| 1000+ | $19.2574 | $ 19257.4000 |
