RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $336.7475 | $ 336.7475 |
| 200+ | $134.3646 | $ 26872.9200 |
| 500+ | $129.8758 | $ 64937.9000 |
| 1000+ | $127.6567 | $ 127656.7000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 設定 | Half Bridge | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 175A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 12mΩ@10V,87.5A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 694W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 13.7nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 224nC@10V |
RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $336.7475 | $ 336.7475 |
| 200+ | $134.3646 | $ 26872.9200 |
| 500+ | $129.8758 | $ 64937.9000 |
| 1000+ | $127.6567 | $ 127656.7000 |
