RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $406.8736 | $ 406.8736 |
| 200+ | $162.3461 | $ 32469.2200 |
| 500+ | $156.9201 | $ 78460.0500 |
| 1000+ | $154.2394 | $ 154239.4000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 設定 | Half Bridge | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 208A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 10mΩ@10V,104A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 781W | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@5mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 14.4nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 280nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $406.8736 | $ 406.8736 |
| 200+ | $162.3461 | $ 32469.2200 |
| 500+ | $156.9201 | $ 78460.0500 |
| 1000+ | $154.2394 | $ 154239.4000 |
