RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,085.8659 | $ 1085.8659 |
| 200+ | $433.2681 | $ 86653.6200 |
| 500+ | $418.7898 | $ 209394.9000 |
| 1000+ | $411.6358 | $ 411635.8000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 設定 | Half Bridge | |
| 排水源電圧(Vdss) | 200V | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 372A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 5mΩ@10V,186A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.25kW | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@10mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 28.9nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 560nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,085.8659 | $ 1085.8659 |
| 200+ | $433.2681 | $ 86653.6200 |
| 500+ | $418.7898 | $ 209394.9000 |
| 1000+ | $411.6358 | $ 411635.8000 |
