RFQを送信してください。すぐに対応します。
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,206.7135 | $ 1206.7135 |
| 200+ | $481.4867 | $ 96297.3400 |
| 500+ | $465.3971 | $ 232698.5500 |
| 1000+ | $457.4471 | $ 457447.1000 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,FET, MOSFET Arrays | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| タイプ | 2 N-Channel | |
| 設定 | Half Bridge | |
| 排水源電圧(Vdss) | 1.2kV | |
| 連続的な排水の流れ(Id) | 60A | |
| 抵抗の排水源(RDS(on)@Vgs、Id) | 175mΩ@10V,30A | |
| パワーディシパテーション(Pd) | 1.25kW | |
| ゲートのしきい値電圧(Vgs(th)@Id) | 5V@10mA | |
| 入力容量(Ciss@Vds) | 20.6nF@25V | |
| トータルゲートチャージ(Qg@Vgs) | 748nC@10V |
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| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $1,206.7135 | $ 1206.7135 |
| 200+ | $481.4867 | $ 96297.3400 |
| 500+ | $465.3971 | $ 232698.5500 |
| 1000+ | $457.4471 | $ 457447.1000 |
