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Infineon Technologies FP30R06W1E3
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FP30R06W1E3 |
| EBEE部品番号 | E8534021 |
| パッケージ | Through Hole,62.8x33.8mm |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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14 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $26.6808 | $ 26.6808 |
| 24+ | $25.2557 | $ 606.1368 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| データシート | Infineon FP30R06W1E3 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃ | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 600V | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 37A | |
| Pd - Power Dissipation | 115W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 0.3uC | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2V@30A,15V | |
| Td(off) | 140ns | |
| Td(on) | 20ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.051nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 600uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 500uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.65nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 60A |
ショッピングガイド
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
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