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Infineon Technologies FP25R12W2T4
| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FP25R12W2T4 |
| EBEE部品番号 | E8534015 |
| パッケージ | Through Hole,62.8x56.7mm |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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35 即時出荷可能1〜2営業日で出荷可能
販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $39.0250 | $ 39.0250 |
| 30+ | $37.8852 | $ 1136.5560 |
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| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| データシート | Infineon FP25R12W2T4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃ | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 1.2kV | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 39A | |
| Pd - Power Dissipation | 175W | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.25V@25A,15V | |
| Td(off) | 190ns | |
| Td(on) | 26ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.05nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.45mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 1.6mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 50A |
ショッピングガイド
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販売単位: Pieceフルバッグ: 200
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
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| 1+ | $39.0250 | $ 39.0250 |
| 30+ | $37.8852 | $ 1136.5560 |
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