| メーカー | |
| メーカー部品番号 | FF200R12KT4 |
| EBEE部品番号 | E8541002 |
| パッケージ | Screw Terminals |
| 顧客番号 | |
| データシート | |
| EDAモデル | |
| ECCN | EAR99 |
| 説明 | 1.1kW 320A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $56.5903 | $ 56.5903 |
| 10+ | $55.3099 | $ 553.0990 |
| タイプ | 説明 | すべて選択 |
|---|---|---|
| カテゴリ | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| データシート | Infineon FF200R12KT4 | |
| RoHS | ||
| 動作温度 | -40℃~+150℃ | |
| コレクター-エミッター故障電圧(Vces) | 1.2kV | |
| ゲートエミッター スレホールド電圧(Vge(th)@Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 320A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.75V@200A,15V | |
| Td(off) | - | |
| Td(on) | 160ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 14mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 10mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.4nF@25V |
| 数量 | 単価 | 合計価格 |
|---|---|---|
| 1+ | $56.5903 | $ 56.5903 |
| 10+ | $55.3099 | $ 553.0990 |
