| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SUP60030E-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E83280723 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 120A 0.0034Ω@10V,120A 125W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3051 | $ 2.3051 |
| 200+ | $0.8926 | $ 178.5200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8464 | $ 846.4000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SUP60030E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 80V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 120A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0034Ω@10V,120A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 348pF@40V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 7.91nF@40V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 94nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.3051 | $ 2.3051 |
| 200+ | $0.8926 | $ 178.5200 |
| 500+ | $0.8607 | $ 430.3500 |
| 1000+ | $0.8464 | $ 846.4000 |
