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STMicroelectronics STD5N20LT4
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STD5N20LT4 |
| Codice Parte EBEE | E8435951 |
| Confezione | DPAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 5A 33W 0.65Ω@5V,2.5A 2.5V@50uA 1 N-channel DPAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6261 | $ 0.6261 |
| 10+ | $0.5693 | $ 5.6930 |
| 30+ | $0.5372 | $ 16.1160 |
| 100+ | $0.5026 | $ 50.2600 |
| 500+ | $0.4866 | $ 243.3000 |
| 1000+ | $0.4804 | $ 480.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STD5N20LT4 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 650mΩ@5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 33W | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 242pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5nC@160V |
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