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STMicroelectronics STB15N80K5
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | STB15N80K5 |
| Codice Parte EBEE | E8500932 |
| Confezione | D2PAK |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 14A 0.375Ω@10V,7A 190W 3V@100uA 1 N-channel D2PAK MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3584 | $ 1.3584 |
| 10+ | $1.2945 | $ 12.9450 |
| 30+ | $1.2570 | $ 37.7100 |
| 100+ | $1.2184 | $ 121.8400 |
| 500+ | $1.2008 | $ 600.4000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | ST STB15N80K5 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 375mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+150℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 190W | |
| Drain to Source Voltage | 800V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 14A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.1nF | |
| Gate Charge(Qg) | 32nC@640V |
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| 10+ | $1.2945 | $ 12.9450 |
| 30+ | $1.2570 | $ 37.7100 |
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