| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SUP60020E-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E87325096 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 150A 2.4mΩ@10V,30A 375W 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2488 | $ 4.2488 |
| 200+ | $1.6957 | $ 339.1400 |
| 500+ | $1.6399 | $ 819.9500 |
| 1000+ | $1.6121 | $ 1612.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SUP60020E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 80V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 150A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.4mΩ@10V,30A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 375W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 50pF@40V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 10.68nF@40V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 227nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.2488 | $ 4.2488 |
| 200+ | $1.6957 | $ 339.1400 |
| 500+ | $1.6399 | $ 819.9500 |
| 1000+ | $1.6121 | $ 1612.1000 |
