| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SUM90330E-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E87325094 |
| Confezione | TO-263(D2PAk) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 35.1A 125W 37.5mΩ@10V,12.2A 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SUM90330E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 35.1A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 37.5mΩ@10V,12.2A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 11pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.172nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 32nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.9816 | $ 1.9816 |
| 200+ | $0.7912 | $ 158.2400 |
| 500+ | $0.7651 | $ 382.5500 |
| 800+ | $0.7512 | $ 600.9600 |
