| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SUM85N15-19-E3 |
| Codice Parte EBEE | E86689746 |
| Confezione | TO-263(D2PAk) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 150V 85A 0.019Ω@10V,85A 3.75W 4V@250uA 1 N-channel TO-263(D2PAk) MOSFETs ROHS |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6112 | $ 3.6112 |
| 10+ | $3.5190 | $ 35.1900 |
| 30+ | $3.4575 | $ 103.7250 |
| 100+ | $3.3961 | $ 339.6100 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SUM85N15-19-E3 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 19mΩ@10V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 220pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.75W | |
| Drain to Source Voltage | 150V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 85A | |
| Ciss-Input Capacitance | - | |
| Gate Charge(Qg) | 110nC@10V |
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.6112 | $ 3.6112 |
| 10+ | $3.5190 | $ 35.1900 |
| 30+ | $3.4575 | $ 103.7250 |
| 100+ | $3.3961 | $ 339.6100 |
