| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SUM65N20-30-E3 |
| Codice Parte EBEE | E8468006 |
| Confezione | TO-263 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 200V 65A 0.03Ω@10V,30A 3.75W 2V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8400 | $ 2.8400 |
| 10+ | $2.7815 | $ 27.8150 |
| 30+ | $2.7424 | $ 82.2720 |
| 100+ | $2.7034 | $ 270.3400 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SUM65N20-30-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+175℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 200V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 65A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.03Ω@10V,30A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 3.75W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 210pF@25V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 5.1nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 130nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $2.8400 | $ 2.8400 |
| 10+ | $2.7815 | $ 27.8150 |
| 30+ | $2.7424 | $ 82.2720 |
| 100+ | $2.7034 | $ 270.3400 |
