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Vishay Intertech SIHU6N80E-GE3


Produttore
Codice Parte Mfr.
SIHU6N80E-GE3
Codice Parte EBEE
E85919069
Confezione
IPAK(TO-251)
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
800V 5.4A 78W 940mΩ@10V,3A 2V@250uA 1 N-channel IPAK(TO-251) MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Contatto
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$2.8701$ 2.8701
200+$1.1449$ 228.9800
500+$1.1066$ 553.3000
1000+$1.0892$ 1089.2000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVISHAY SIHU6N80E-GE3
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)800V
Corrente di scarico continuo (Id)5.4A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)940mΩ@10V,3A
Dissipazione di potenza (Pd)78W
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)2V@250uA
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)5pF@100V
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)827pF@100V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)44nC@10V

Guida all’acquisto

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