| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHP080N60E-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E83280669 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 22A 0.07Ω@10V,17A 227W 3V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3519 | $ 6.3519 |
| 10+ | $6.2021 | $ 62.0210 |
| 30+ | $6.1027 | $ 183.0810 |
| 100+ | $6.0033 | $ 600.3300 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHP080N60E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 22A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.07Ω@10V,17A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 227W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6pF | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2557pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 63nC@10V |
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.3519 | $ 6.3519 |
| 10+ | $6.2021 | $ 62.0210 |
| 30+ | $6.1027 | $ 183.0810 |
| 100+ | $6.0033 | $ 600.3300 |
