| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHFR024-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E85900015 |
| Confezione | TO-252AA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 60V 14A 100mΩ@10V,8.4A 4V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8539 | $ 0.8539 |
| 200+ | $0.3416 | $ 68.3200 |
| 500+ | $0.3294 | $ 164.7000 |
| 1000+ | $0.3242 | $ 324.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHFR024-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 60V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 14A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8.4A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 2.5W;42W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 640pF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 25nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8539 | $ 0.8539 |
| 200+ | $0.3416 | $ 68.3200 |
| 500+ | $0.3294 | $ 164.7000 |
| 1000+ | $0.3242 | $ 324.2000 |
