| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHFB11N50A-E3 |
| Codice Parte EBEE | E87316152 |
| Confezione | TO-220AB |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 500V 7A 170W 520mΩ@10V,6.6A 4V@250uA 1 N-channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6657 | $ 4.6657 |
| 200+ | $1.8620 | $ 372.4000 |
| 500+ | $1.7999 | $ 899.9500 |
| 1000+ | $1.7688 | $ 1768.8000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHFB11N50A-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 500V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 7A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 520mΩ@10V,6.6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 170W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.423nF@25V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 52nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6657 | $ 4.6657 |
| 200+ | $1.8620 | $ 372.4000 |
| 500+ | $1.7999 | $ 899.9500 |
| 1000+ | $1.7688 | $ 1768.8000 |
