| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHF080N60E-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E83280450 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 9A 0.07Ω@10V,17A 35W 3V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2810 | $ 3.2810 |
| 200+ | $1.2705 | $ 254.1000 |
| 500+ | $1.2261 | $ 613.0500 |
| 1000+ | $1.2031 | $ 1203.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHF080N60E-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 9A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.07Ω@10V,17A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 35W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2557pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 63nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $3.2810 | $ 3.2810 |
| 200+ | $1.2705 | $ 254.1000 |
| 500+ | $1.2261 | $ 613.0500 |
| 1000+ | $1.2031 | $ 1203.1000 |
