Recommonended For You
Le immagini sono solo a scopo di riferimento
Aggiungi ai Preferiti
Vishay Intertech SIHD2N80AE-GE3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHD2N80AE-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E85900009 |
| Confezione | TO-252AA |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 800V 1.8A 2.9Ω@10V,500mA 62.5W 2V@250uA 1 N-channel TO-252AA MOSFETs ROHS |
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
Scopri di più >>In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5005 | $ 1.5005 |
| 200+ | $0.5988 | $ 119.7600 |
| 500+ | $0.5787 | $ 289.3500 |
| 1000+ | $0.5696 | $ 569.6000 |
Consigliato Per Te
Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHD2N80AE-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 800V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 1.8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 2.9Ω@10V,500mA | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 62.5W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 180pF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 10.5nC@10V |
Guida all’acquisto
Espandi
In Magazzino : Si Prega di Richiedere
Invia RFQ, risponderemo immediatamente.
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.5005 | $ 1.5005 |
| 200+ | $0.5988 | $ 119.7600 |
| 500+ | $0.5787 | $ 289.3500 |
| 1000+ | $0.5696 | $ 569.6000 |
