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Vishay Intertech SIHB24N65E-E3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHB24N65E-E3 |
| Codice Parte EBEE | E87316105 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 24A 145mΩ@10V,12A 250W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $8.6632 | $ 8.6632 |
| 200+ | $3.4572 | $ 691.4400 |
| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHB24N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 24A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 145mΩ@10V,12A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 250W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 2.74nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 122nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $8.6632 | $ 8.6632 |
| 200+ | $3.4572 | $ 691.4400 |
| 500+ | $3.3422 | $ 1671.1000 |
| 1000+ | $3.2838 | $ 3283.8000 |
