| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHB22N60E-E3 |
| Codice Parte EBEE | E87363726 |
| Confezione | D2PAK(TO-263) |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 600V 21A 180mΩ@10V,11A 227W 4V@250uA 1 N-channel D2PAK(TO-263) MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0200 | $ 6.0200 |
| 200+ | $2.4022 | $ 480.4400 |
| 500+ | $2.3219 | $ 1160.9500 |
| 1000+ | $2.2817 | $ 2281.7000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHB22N60E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 600V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 21A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 180mΩ@10V,11A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 227W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 6pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 1.92nF@100V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 86nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $6.0200 | $ 6.0200 |
| 200+ | $2.4022 | $ 480.4400 |
| 500+ | $2.3219 | $ 1160.9500 |
| 1000+ | $2.2817 | $ 2281.7000 |
