| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIHA6N65E-E3 |
| Codice Parte EBEE | E83290251 |
| Confezione | TO-220 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 650V 18A 0.6Ω@10V,3A 31W 4V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3753 | $ 1.3753 |
| 200+ | $0.5323 | $ 106.4600 |
| 500+ | $0.5146 | $ 257.3000 |
| 1000+ | $0.5040 | $ 504.0000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIHA6N65E-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 650V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 18A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.6Ω@10V,3A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 31W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 8pF@100V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 820pF | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 48nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.3753 | $ 1.3753 |
| 200+ | $0.5323 | $ 106.4600 |
| 500+ | $0.5146 | $ 257.3000 |
| 1000+ | $0.5040 | $ 504.0000 |
