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Vishay Intertech SIE810DF-T1-GE3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIE810DF-T1-GE3 |
| Codice Parte EBEE | E87081423 |
| Confezione | PolArPAK-10 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 25A 1.4mΩ@10V,25A 1.3V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.8797 | $ 4.8797 |
| 200+ | $1.9484 | $ 389.6800 |
| 500+ | $1.8822 | $ 941.1000 |
| 1000+ | $1.8508 | $ 1850.8000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIE810DF-T1-GE3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 25A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.4mΩ@10V,25A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 5.2W;125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.3V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 1000pF@10V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 13nF@10V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 300nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $4.8797 | $ 4.8797 |
| 200+ | $1.9484 | $ 389.6800 |
| 500+ | $1.8822 | $ 941.1000 |
| 1000+ | $1.8508 | $ 1850.8000 |
