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Vishay Intertech SIE802DF-T1-E3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SIE802DF-T1-E3 |
| Codice Parte EBEE | E86816575 |
| Confezione | PolArPAK-10 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 60A 1.9mΩ@10V,23.6A 2.7V@250uA 1 N-channel PolArPAK-10 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SIE802DF-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 60A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.9mΩ@10V,23.6A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 5.2W;125W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 2.7V@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 7nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 160nC@10V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $5.7845 | $ 5.7845 |
| 200+ | $2.3093 | $ 461.8600 |
| 500+ | $2.2309 | $ 1115.4500 |
| 1000+ | $2.1926 | $ 2192.6000 |
