| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI8812DB-T2-E1 |
| Codice Parte EBEE | E8727314 |
| Confezione | UFBGA-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 20V 3.2A 59mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1886 | $ 0.1886 |
| 200+ | $0.0730 | $ 14.6000 |
| 500+ | $0.0705 | $ 35.2500 |
| 1000+ | $0.0692 | $ 69.2000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI8812DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 20V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 3.2A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 59mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 500mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 400mV@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 0.14pF@20V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 17nC@8V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.1886 | $ 0.1886 |
| 200+ | $0.0730 | $ 14.6000 |
| 500+ | $0.0705 | $ 35.2500 |
| 1000+ | $0.0692 | $ 69.2000 |
