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Vishay Intertech SI8812DB-T2-E1


Produttore
Codice Parte Mfr.
SI8812DB-T2-E1
Codice Parte EBEE
E8727314
Confezione
UFBGA-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
20V 3.2A 59mΩ@4.5V,1A 500mW 400mV@250uA 1 N-channel UFBGA-4 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Nome Azienda
Paese
Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.1886$ 0.1886
200+$0.0730$ 14.6000
500+$0.0705$ 35.2500
1000+$0.0692$ 69.2000
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVISHAY SI8812DB-T2-E1
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)20V
Corrente di scarico continuo (Id)3.2A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)59mΩ@4.5V,1A
Dissipazione di potenza (Pd)500mW
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)400mV@250uA
Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds)-
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)0.14pF@20V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)17nC@8V

Guida all’acquisto

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