| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI8808DB-T2-E1 |
| Codice Parte EBEE | E8145290 |
| Confezione | BGA-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 1.8A 95mΩ@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI8808DB-T2-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 1.8A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 95mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 500mW | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 900mV@250uA | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 330pF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 10nC@8V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $0.7207 | $ 0.7207 |
| 10+ | $0.7066 | $ 7.0660 |
| 30+ | $0.6959 | $ 20.8770 |
| 100+ | $0.6852 | $ 68.5200 |
