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Vishay Intertech SI8808DB-T2-E1


Produttore
Codice Parte Mfr.
SI8808DB-T2-E1
Codice Parte EBEE
E8145290
Confezione
BGA-4
Numero Cliente
Scheda Tecnica
Modelli EDA
ECCN
EAR99
Descrizione
30V 1.8A 95mΩ@4.5V,1A 500mW 900mV@250uA 1 N-channel BGA-4 MOSFETs ROHS
Questi materiali supportano cavi personalizzati!
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Qualità
Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
Qtà.Prezzo UnitarioPrezzo Tot.
1+$0.7207$ 0.7207
10+$0.7066$ 7.0660
30+$0.6959$ 20.8770
100+$0.6852$ 68.5200
TipoDescrizione
Seleziona Tutto
CategoriaDiscrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs
Scheda TecnicaVISHAY SI8808DB-T2-E1
RoHS
Temperatura di funzionamento-55℃~+150℃@(Tj)
Tipo di tipo1 N-channel
Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss)30V
Corrente di scarico continuo (Id)1.8A
Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id)95mΩ@4.5V,1A
Dissipazione di potenza (Pd)500mW
Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id)900mV@250uA
Capacità di ingresso (Ciss-Vds)330pF@15V
Carica totale del cancello (Qg-Vgs)10nC@8V

Guida all’acquisto

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