| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI8409DB-T1-E1 |
| Codice Parte EBEE | E8727697 |
| Confezione | XFBGA-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 6.3A 46mΩ@4.5V,1A 1.77W 1.4V@250uA 1 Piece P-Channel XFBGA-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4587 | $ 1.4587 |
| 200+ | $0.5652 | $ 113.0400 |
| 500+ | $0.5452 | $ 272.6000 |
| 1000+ | $0.5361 | $ 536.1000 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI8409DB-T1-E1 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Tipo di tipo | 1 Piece P-Channel | |
| La configurazione | - | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 6.3A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 46mΩ@4.5V,1A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 1.77W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1.4V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | - | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | - | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.4587 | $ 1.4587 |
| 200+ | $0.5652 | $ 113.0400 |
| 500+ | $0.5452 | $ 272.6000 |
| 1000+ | $0.5361 | $ 536.1000 |
