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Vishay Intertech SI7892BDP-T1-E3
| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI7892BDP-T1-E3 |
| Codice Parte EBEE | E82925172 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 30V 25A 0.0042Ω@10V,25A 5W 1V@250uA 1 N-channel SO-8 MOSFETs ROHS |
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Unità di Vendita: PieceBusta Completa: 200
| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0771 | $ 1.0771 |
| 10+ | $0.9032 | $ 9.0320 |
| 30+ | $0.8091 | $ 24.2730 |
| 100+ | $0.7009 | $ 70.0900 |
| 500+ | $0.6531 | $ 326.5500 |
| 1000+ | $0.6317 | $ 631.7000 |
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Specifiche
2768prodotti trovati.Mostra Simili| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI7892BDP-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tipo di tipo | 1 N-channel | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 30V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 25A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.0042Ω@10V,25A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 5W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 295pF@15V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 3.775nF@15V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 40nC@15V |
Guida all’acquisto
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|---|---|---|
| 1+ | $1.0771 | $ 1.0771 |
| 10+ | $0.9032 | $ 9.0320 |
| 30+ | $0.8091 | $ 24.2730 |
| 100+ | $0.7009 | $ 70.0900 |
| 500+ | $0.6531 | $ 326.5500 |
| 1000+ | $0.6317 | $ 631.7000 |
