| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | SI7469DP-T1-E3 |
| Codice Parte EBEE | E82898979 |
| Confezione | SO-8 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 80V 28A 0.025Ω@10V,28A 53W 1V@250uA SO-8 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0759 | $ 4.0759 |
| 10+ | $3.9854 | $ 39.8540 |
| 30+ | $3.9268 | $ 117.8040 |
| 100+ | $3.8665 | $ 386.6500 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY SI7469DP-T1-E3 | |
| RoHS | ||
| Temperatura di funzionamento | -55℃~+150℃ | |
| Tensione di Sorgente di Scarico (Vdss) | 80V | |
| Corrente di scarico continuo (Id) | 28A | |
| Sorgente di drenaggio sulla resistenza (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.025Ω@10V,28A | |
| Dissipazione di potenza (Pd) | 53W | |
| Tensione della soglia del portone (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 235pF@40V | |
| Capacità di ingresso (Ciss-Vds) | 4.7nF@40V | |
| Carica totale del cancello (Qg-Vgs) | 55nC@10V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $4.0759 | $ 4.0759 |
| 10+ | $3.9854 | $ 39.8540 |
| 30+ | $3.9268 | $ 117.8040 |
| 100+ | $3.8665 | $ 386.6500 |
