| Produttore | |
| Codice Parte Mfr. | IRLD110PBF |
| Codice Parte EBEE | E8145272 |
| Confezione | HVMDIP-4 |
| Numero Cliente | |
| Scheda Tecnica | |
| Modelli EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Descrizione | 100V 1A 540mΩ@5V,600mA 1.3W 2V@250uA 1 N-channel HVMDIP-4 MOSFETs ROHS |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6335 | $ 1.6335 |
| 10+ | $1.6012 | $ 16.0120 |
| 30+ | $1.5797 | $ 47.3910 |
| 100+ | $1.5567 | $ 155.6700 |
| Tipo | Descrizione | Seleziona Tutto |
|---|---|---|
| Categoria | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Scheda Tecnica | VISHAY IRLD110PBF | |
| RoHS | ||
| Tipo di tipo | N-Channel | |
| La configurazione | - | |
| RDS (on) | 540mΩ@5V | |
| Temperatura di funzionamento - | -55℃~+175℃ | |
| Capacità di trasferimento inversa (Crss-Vds) | 15pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.3W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 1A | |
| Ciss-Input Capacitance | 250pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 80pF | |
| Gate Charge(Qg) | 6.1nC@5V |
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| Qtà. | Prezzo Unitario | Prezzo Tot. |
|---|---|---|
| 1+ | $1.6335 | $ 1.6335 |
| 10+ | $1.6012 | $ 16.0120 |
| 30+ | $1.5797 | $ 47.3910 |
| 100+ | $1.5567 | $ 155.6700 |
